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論文

Present status of room temperature semiconductor detectors

阪井 英次

Nuclear Instruments and Methods, 196(1), p.121 - 130, 1982/00

室温作動半導体検出器開発の現状をまとめたものである。GaAs,CdTe,HgI$$_{2}$$,ダイヤモンド検出器の現状と応用を展望した。

論文

Recent topics in semiconductor detector development

阪井 英次

Proc.of KEK Symp.on Radiation Dosimetry, p.165 - 190, 1978/00

半導体検出器開発をめぐる最近の話題について解説した。Si検出器におけるエピタキシャル技術の適用、Ge(Li)検出器におけるウェル型の検出効率、高純度Ge検出器におけるn$$^{+}$$、P$$^{+}$$電極作成技術、表面保護、低エネルギーX線測定での、問題点や応用例、室温半導体検出器としてのGaAs,Cdte,HgI$$_{2}$$検出器やダイヤモンド検出器の現状について述べた後、半導体検出器を用いた線量率計および線量計について解説した。図面8,表1、文献74を載せた。また、本論文は高エネルギー研究所で行われた放射線ドシメトリに関する研究会の報告書であるので、質疑応答についても記載した。

論文

半導体ガンマ線検出器

阪井 英次

応用物理, 42(2), p.97 - 114, 1973/02

http://joi.jlc.jst.go.jp/JST.Journalarchive/oubutsu1932/11.97

筆者の総合報告(応用物理、38巻(1969)2~18)の後、現在に至る期間の半導体$$gamma$$線検出器をめぐる開発研究の成果を解説したもの。Ge(Li)検出器用単結晶、エネルギー分解能、立ち上がり時間、ガンマ線検出効率、温度特性、放射線損傷、ガンマ線位置検出器、高純度Ge単結晶、CaAsや、CdTeなどの合金型半導体検出器、高分解能半導体X線検出器の話題をとり上げた。文献185、図面13、表1が附されている。

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